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10nm制程可望进一步降低芯片成本万芳

发布时间:2020-02-14 12:32:22 阅读: 来源:珍珠岩厂家

10nm制程可望进一步降低芯片成本

虽然IBS并未预期制程技术停止微缩,但预计惩罚成本(cost penalty)将出现在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之际。对于闸极成本的这些项测已经证实是正确的,而当苹果(Apple)的20nm产品量产时,20nm芯片产能比起28nm时更低得多了。

台积电(TSMC)提供了另一个例子。该公司的28nm芯片月产能(WPM)达15万片,但其20nm芯片月产能大约将近三分之一——60,000WPM。 Globalfoundries在其纽约州马尔它(Malta)晶圆厂也拥有20nm产能,但该厂的主要着重于FinFET。至于三星电子 (Samsung Electronics)和联电(UMC),他们决定直接跳过20nm。

随着16/14nm晶圆量产,同样地,16/14nm的晶圆产能又比28nm时更低。16/14nm的晶圆产量同样是由Apple驱动的,但利用16/14nm技术的时间长短则将由10nm制程多快出现所决定。

相较于晶圆成本增加,10nm时的闸极成本将会降低,这是因为该制程将会具有更高的闸极密度。为了可在10nm时取得更低的闸极成本,势必需要具备较高的系统与参数良率,但这并不难实现。

10nm预计将会是一个高产能与长使用寿命的技术节点。台积电和三星都计划在2015年第4季投产10nm设计,所瞄准的客户显然就是Apple。如果能够在2016年或甚至在2017年中旨以前量产10nm,那么16/14nm将会是一个“短命”的技术节点。

然而,10nm所需的资本支出大约为20亿美元,可实现10,000 WPM的产能;如果要达到40,000 WPM产能,那么晶圆厂将耗资80亿美元。此外,实现10nm的设计至少需要1.5亿美元的最低成本,因此,如果芯片营收必须比设计成本更高10倍才能取 得不错的投资报酬率,那么,10nm芯片就必须达到15亿美元的销售数字。

在10nm节点以后,可能必须使用超紫外光微影(EUV)技术,而且必须在提升EUV吞吐量方面稳定进步。尽管450mm晶圆技术持续进展,但预计要到2020年以前才可能开始导入。

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